半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多晶硅生產(chǎn)用石墨制品
半導(dǎo)體工業(yè)多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
硅半導(dǎo)體用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。當(dāng)今,硅資料是以存儲(chǔ)器為中心的半導(dǎo)體工業(yè)所運(yùn)用的首要質(zhì)料。其出產(chǎn)制造過程中許多運(yùn)用多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。
多晶硅的出產(chǎn)工藝為,將純度較高的石英石(SiO2)混以焦炭、木炭等炭素資料,高溫下加熱恢復(fù),生成金屬硅(純度約為98%);然后在反響爐內(nèi)使金屬硅微粉和氯化氫氣體反響組成硅烷氣體;通過重復(fù)精粹前進(jìn)硅烷氣體的純度。
接下來的工序首要分為兩種方法。一種是將三氯硅烷( SiHCl3)和氫氣的混合氣體通入溫度為1100℃的石英容器,使其蒸結(jié)在容器中聳峙的多晶硅芯棒的表面,并使芯棒的直徑逐步變粗至150~200mm的方法(CVD法,稱之為西門子法另一種是將硅粉末和單硅烷/氫的混合氣體通入流化床反響容器內(nèi),加熱到600℃,使硅烷分解,反響后生成1mm左右的顆粒狀多晶硅的方法,稱之為流化床法。
作為上述制造工藝中所運(yùn)用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品,首先是在硅烷氣體制造過程中運(yùn)用的用超大型等靜壓石墨制成的1000mm的反響容器。由于超越1000℃要與含硅或氫的周圍氣體觸摸,有必要具有高溫強(qiáng)度和耐化學(xué)反響性。在接下的多晶硅CVD出產(chǎn)法中,運(yùn)用高純石墨制成的部件有多晶硅芯棒的堅(jiān)持器兼作通電電極、氣體導(dǎo)入的通氣嘴和加熱器。另外,用流化床法出產(chǎn)顆粒狀多晶硅時(shí),也運(yùn)用1000mm的高純石墨反響容器,但是為了防止硅烷氣體泄露,在其表面要進(jìn)行SC涂層處理。